• Главная
• В избранное
• Наш E-MAIL
• Добавить материал
• Нашёл ошибку
• Вниз

Знак * указывает, что элемент может быть повторен.

В[имя] <узел стока> <узел затвора> <узел истока> <имя модели> <[площадь]>;

[площадь] — относительная площадь устройства, по умолчанию ее значение равно 1. Компонент GaAsFET, как показано на рис. D.1, смоделирован как встроенный полевой транзистор (FET) с омическим сопротивлением RD, включенным последовательно со стоком, второе омическое сопротивление RS включено последовательно с истоком и третье омическое сопротивление RG — последовательно с затвором.[10]

Curtice и Raytheon представляют собой модели, названные по именам авторов. Описание приведено, соответственно, в работах:

[1] W. R. Curtice, «А MOSFET model for use in the design of GaAs integrated circuits», IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, MTT-28, 448-456 (1980).

[2] H. Statz, P. Newman, I. W. Smith, R. A. Pucel, and H. A. Haus, «GaAs FET Device and Circuit Simulation in SPICE», IEEE Transactions on Electron Devices, ED-34,160-169 (1987). (Прим. переводчика.)

Рис. D.1. Модель для арсенид-галлиевых транзисторов GaAsFET

С<имя> <+узел> <-узел> [имя модели] <значение> [IС = начальное значение>]

Если [имя модели] отсутствует, то <значение> приведенное далее, представляет собой емкость в фарадах. Если [имя модели] задано, то емкость вычисляется по формуле

<3начение> C(I + VC₁·V + VC₂·V²)(I + TC₁(T – T_nom) + TC₂(T - T_nom)²),

где T_nom — номинальная температура, установленная опцией TNOM.

D<имя> <+узел> <-узел> <имя модели> [площадь]

Модель диода, показанная на рис. D2, содержит встроенное омическое сопротивление RS.

Рис. D.2. Модель диода

Е<имя> <+узел> <-узел> <+узел управления> <-узел управления> <коэффициент усиления>

Е<имя> <+узел> <-узел> POLY <значение> <+узел управления> <-узел управления> * <значения полиномиальных коэффициентов> *

F<имя> <+узел> <-узел> <имя управляющего компонента V> <коэффициент усиления>

F<имя> <+узел> <-узел> POLY <(значение)> <имя управляющего компонента V> * <значения полиномиальных коэффициентов> *

G<имя> <+узел> <-узел> <+узел управления> <-узел управления> <проводимость передачи>

G<имя> <+узел> <-узел> POLY <(значение)> <+узел управления> <-узел управления> * <значения полиномиальных коэффициентов> *

Н<имя> <+узел> <-узел> <имя управляющего компонента V> <сопротивление передачи>

H<имя> <+узел> <-узел> POLY <(значение)> <имя управляющего компонента V> * <значения полиномиальных коэффициентов> *

I<имя> <+узел> <-узел>[[DС]<значение>] [АС] <амплитуда> [<фазовый угол>]][спецификация формы тока]

Если имеется [спецификация формы тока], она должна быть одной из следующих: EXP(), PULSE(), PWL(), SFFM() или SIN().

J[имя] <узел стока> <узел затвора> <узел истока> <имя модели>

Полевой транзистор JFET, как показано на рис. D.3, смоделирован как встроенный полевой транзистор с омическим сопротивлением RD, включенным последовательно со стоком. Другое омическое сопротивление RS включено последовательно с истоком.

Рис. D.3. Модель полевого транзистора JFET

K<имя> L<имя катушки индуктивности> <L<имя катушки индуктивности>> * <значение коэффициента связи>

K<имя> L<имя катушки индуктивности> * <значение коэффициента связи> <имя модели> [размеры]

K<имя> называет компонент, состоящий из двух или более магнитно-связанных катушек индуктивности. Точкой обозначают первые (положительный) узел каждой катушки индуктивности. Если задано <имя модели>, то компонент представляется моделью, в которой:

а) катушка индуктивности представляет собой нелинейное устройство с магнитопроводом;

б) характеристики ВН основаны на модели Jiles-Atherton*;

в) значения L указывают число витков соответствующей обмотки;

г) необходима директива ввода модели, чтобы определить ее параметры.

L<имя> <+узел> <-узел> [имя модели] <значение> [IС = начальное значение>]

Если [имя модели] отсутствует, то <значение> представляет собой индуктивность в генри. Если [имя модели] задано, то индуктивность вычисляется по формуле

<Значение> L (I + IL₁·I + IL₂·I²)(I + TC₁(T – T_nom) + ТС₂(Тм – T_nom)²),

где T_nom — номинальная температура, установленная опцией TNOM.

М[имя] <узел стока> <узел управляющего электрода> <узел истока> <узел корпуса/подложки> <имя модели> [L = значение] [W = значение] [AD = значение] [AS = значение] [PD = значение] [NRD = значение] [NRS = значение] [NRG = значение] [NRB = значение]

МОП-транзистор, который показан на рис. D.4, смоделирован как встроенный МОП-транзистор с омическим сопротивлением RD, включенным последовательно со стоком, омическим сопротивление RS, включенным последовательно с истоком, омическим сопротивлением RG последовательно с затвором и омическим сопротивлением RB последовательно с подложкой. Сопротивление утечки RDS подключено параллельно каналу (сток-исток).

Рис. D.4. Модель МОП-транзистора

Q<имя> <узел коллектора> <узел базы> <узел эмиттера> <[узел подложки]> <имя модели> [площадь]

BJT, что видно из рис. D.5, смоделирован как встроенный транзистор с омическим сопротивлением RC, включенным последовательно с коллектором, с переменным сопротивлением последовательно с базой и омическим сопротивлением RE последовательно с эмиттером. Узел подложки не обязателен, по умолчанию он заземляется, если не оговаривается другое соединение.

Рис. D.5. Модель полевого транзистора BJT

R<name> <+узел> <-узел> [имя модели] <значение>

Если [имя модели] включено в директиву, а ТСЕ не определен, то сопротивление вычисляется по формуле

<значение> R(1 + TC1(Т – T_nom) + ТС2(Т – T_nom)²), где T_nom — номинальная температура.

Если же [имя модели] включено в директиву и определен параметр ТСЕ, то сопротивление вычисляется по другой формуле

<значение> R·1,01^{TCE(T – Tnom)}

S[имя] <+узел ключа> < -узел ключа> <+узел управления> <-узел управления> <имя модели>

Обратите внимание на то, что сопротивление при переключениях плавно изменяется от значения RON до значения ROFF или обратно.

Т[имя] <+узел порта А> <-узел порта А> <+узел порта В> <-узел порта В> <ZO = значение> [ТО = значение] [F= значение] [NL = значение]

ZO — характеристическое сопротивление, F частота и NL — относительная длина волны со значением по умолчанию 0,25 (следовательно F в 4 раза больше f).

Линия передачи, как показано на рис. D.6, моделируется как двунаправленная линия задержки с двумя портами: портом А с узлами 1 и 2, находящимся слева, и портом В с узлами 3 и 4, находящимся справа.

Рис. D.6. Модели линии передачи

V[имя] <+узел> <-узел> [[DC] <значение>] [АС<значение> [фаза] [спецификация формы напряжения]

Если имеется [спецификация формы напряжения] она должна быть одной из следующих: EXP(), PULSE(), PWL(), SFFM() или SIN().

W<имя> <+узел ключа> <-узел ключа> <имя управляющего источника V> <имя модели>

Обратите внимание на то, что сопротивление при переключениях плавно изменяется от значения RON до значения ROFF или обратно.

X<имя> [<узел>] * <имя подсхемы> [PARAMS:<параметру = <значение> *>]

При вызове должны быть указаны те же номера узлов, что и при определении подсхемы.

Примечания:

1

К настоящему изданию приложена демонстрационная версии 9-го выпуска программы OrCAD PSpice, которой можно пользоваться свободно. Кроме того, на CD-ROM помещена демо-версия десятого выпуска OrCAD 10.5, с которой можно работать в течение 30 дней после установки на компьютер.

10

Описание этой модели помещено на прилагаемом компакт-диске в файле Documents\PSpice_with_Capture\Pspcref.pdf, с. 165-166. (Прим. переводчика.)